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https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/5336| Tipo de Documento: | Dissertação |
| Título : | Utilização da sacarose no crescimento de filmes de óxidos de vanádio via spray-pirólise |
| Autor : | Santos, Maria do Socorro de Andrade Neves |
| Fecha de publicación : | 25-feb-2014 |
| Director(a): | Souza Junior, Edvaldo Alves de |
| Resumen: | Neste trabalho, soluções aquosas foram obtidas com a adição de sacarose para produção de filmes finos de óxidos de vanádio via a técnica spray-pirolise. Soluções com diferentes concen-trações de cloreto de vanádio e sacarose foram preparadas para estudar sua influência nas pro-priedades estruturais, morfológicas e elétricas dos filmes. Todas as amostras foram analisadas utilizando técnicas de caracterização estrutural (DRX), morfológica (MEV) e elétrica (duas pontas). Os resultados mostraram que foi possível observar a formação das fases V2O5 e V3O7, e que a concentração 200mM de cloreto de vanádio foi a condição de síntese que melhor apre-sentou a cristalização do pentóxido de vanádio. Os resultados das medidas elétricas, resistência em função da temperatura mostram que os filmes depositados tem comportamento de um se-micondutor. Os resultados também concluem que o mecanismo de condução sucedido nos fil-mes pode ser descrito pelo modelo de bandgap. |
| Resumen : | In this work, aqueous solutions were obtained by adding sucrose to produce thin films of oxides of vanadium via the spray pyrolysis technique. Solutions with different concentrations of vana-dium chloride and sucrose were prepared to study their influence on the structural, morpholog-ical and electrical properties of the films. All samples were analyzed using structural character-ization techniques (XRD), morphology (SEM) and electric (both ends). The results showed that it was possible to observe training phase V2O5 and V3O7, 200mM and the concentration of vanadium chloride was the condition that the synthesis had better crystallization of vanadium pentoxide. The results of electrical measurements, resistance versus temperature show that the deposited film has behavior of a semiconductor. The results also conclude that the band-gap model can describe the mechanism of conduction in successful films. |
| Palabras clave : | Físico-química Vanádio Metais de transição Óxido de vanádio Sacarose Filmes finos Pirólise Chemistry, Physical and theoretical Sucrose Thin films Transition metals Vanadium Vanadium oxide |
| Área CNPQ: | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA |
| Idioma : | por |
| Programa de Posgrado: | Pós-Graduação em Física |
| Tipo de acceso: | Acesso Aberto |
| URI : | https://ri.ufs.br/handle/riufs/5336 |
| Aparece en las colecciones: | Mestrado em Física |
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