Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de “memória resistiva de acesso aleatório” (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)

Rodrigues, Aline do Nascimento

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Campo DC	Valor	Lengua/Idioma
dc.contributor.author	Rodrigues, Aline do Nascimento	-
dc.date.accessioned	2019-04-16T12:22:45Z	-
dc.date.available	2019-04-16T12:22:45Z	-
dc.date.issued	2018-11-07	-
dc.identifier.citation	RODRIGUES, Aline do Nascimento. Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de “memória resistiva de acesso aleatório” (RRAM) e interruptor eletrônico (IE). 2018. 97 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, SE, 2018.	pt_BR
dc.identifier.uri	http://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/10988	-
dc.description.abstract	The thin film devices of Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITO, Pt/ZnO/Cu/ITO, Pt/ZnO/Cu/Phenolite and Pt/ZnO/Cu/Pt films were deposited using a magnetron sputtering system for deposition of the Al2O3, ZnO, Cu and Pt layers. As a top electrode a Pt tip was used and ITO (commercial), Pt and Phenolite (commercial) were used as the bottom electrode. Electrical measurements were forced to verify the existence of Resistive Switching behavior and curves I x V were achieved. For the Pt/ZnO/Cu/ZnO/Pt device deposited at room temperature, no resistive switching was found. A Threshold (non-volatile) switching behavior was found for a Pt/ZnO/Cu/ZnO/Pt sample made with 200 ° C heating during a ZnO film deposition. The Pt/ZnO/Cu/ITO device presented unipolar resistive switching behavior in the negative polarization. The Pt/ZnO/Cu/Phenolite device presented the resistive switching behavior with the formation process. For the device based on Al2O3 the resistive switching was also associated with negative polarization. The filament migration model is suggested to explain the resistive switching behavior in the samples. As retention measures of the devices Pt/ZnO/Cu/ITO and Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITO The good combination between high and low resistance states over time in non-volatile memory devices.	eng
dc.description.sponsorship	Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES	pt_BR
dc.language	por	pt_BR
dc.subject	Comutação resistiva	por
dc.subject	Filmes finos	por
dc.subject	Pulverização catódica	por
dc.subject	Al2O3	por
dc.subject	ZnO	por
dc.subject	RRAM	por
dc.subject	Resistive switching	eng
dc.subject	Thin films	eng
dc.subject	Magnetron sputtering	eng
dc.title	Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de “memória resistiva de acesso aleatório” (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)	pt_BR
dc.type	Tese	pt_BR
dc.contributor.advisor1	Macêdo, Marcelo Andrade	-
dc.description.resumo	Os dispositivos de filmes finos de Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITO, Pt/ZnO/Cu/ITO, Pt/ZnO/Cu/Fenolite e Pt/ZnO/Cu/Pt foram depositados utilizando um sistema de pulverização catódica para deposição das camadas de Al2O3, ZnO, Cu e Pt. Como eletrodo superior foi utilizada uma ponta de Pt e como eletrodo inferior foram utilizados ITO (comercial), Pt e Fenolite (comercial). Medidas elétricas foram realizadas a fim de verificar a existência do comportamento de Comutação Resistiva e curvas I x V foram obtidas. Para o dispositivo Pt/ZnO/Cu/ZnO/Pt depositado à temperatura ambiente, nenhuma comutação resistiva foi encontrada. Para a amostra Pt/ZnO/Cu/ZnO/Pt fabricada com aquecimento de 200 °C durante a deposição do filme de ZnO foi encontrado um comportamento de comutação Threshold (não volátil). O dispositivo Pt/ZnO/Cu/ITO exibiu comportamento de comutação resistiva unipolar na polarização negativa. O dispositivo Pt/ZnO/Cu/Fenolite exibiu comportamento de comutação resistiva com processo de formação. Para o dispositivo baseado em Al2O3 a comutação resistiva foi obtida também na polarização negativa. O modelo filamentar por migração de vacâncias de oxigênio é sugerido para explicar o comportamento de comutação resistiva encontrado nas amostras. As medidas de retenção dos dispositivos Pt/ZnO/Cu/ITO e Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITO mostraram boa distinção entre os estados de alta e baixa resistência com o passar do tempo, o que evidencia o potencial destes dispositivos para serem aplicados em dispositivos de memória não volátil.	pt_BR
dc.publisher.program	Pós-Graduação em Física	pt_BR
dc.subject.cnpq	CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA	pt_BR
dc.publisher.initials	Universidade Federal de Sergipe	pt_BR
dc.description.local	São Cristóvão, SE	pt_BR
Aparece en las colecciones:	Doutorado em Física

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