1. Repositório Institucional da Universidade Federal de Sergipe - RI/UFS
  2. PRODUÇÃO CIENTÍFICA
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Campo DCValorIdioma
dc.contributor.authorLima, Adilmo Francisco de-
dc.contributor.authorLalic, Milan V.-
dc.date.accessioned2025-04-03T21:37:06Z-
dc.date.available2025-04-03T21:37:06Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationLIMA, A. F.; LALIC, M. V. First principles study of electronic and optical properties of the chromium doped BGO crystal. Journal of Physics: Conference Series, v. 249, 2010. Trabalho apresentado em 16º International Conference on Defects in Insulating Materials, 2008, [Aracaju]. Disponível em: https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1742-6596/249/1/012035/pdf. Acesso em: 3 abr. 2025.pt_BR
dc.identifier.issn1742-6596-
dc.identifier.issn1742-6588-
dc.identifier.urihttps://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/21541-
dc.languageengpt_BR
dc.publisherIOP Publishingpt_BR
dc.relation.ispartofJournal of Physics: Conference Seriespt_BR
dc.subjectElectronic propertieseng
dc.subjectOptical propertieseng
dc.subjectBismuth ortho-germanate (BGO)eng
dc.subjectChromium doped BGO crystaleng
dc.titleFirst principles study of electronic and optical properties of the chromium doped BGO crystalpt_BR
dc.typeTrabalhos em Eventospt_BR
dc.identifier.licenseCreative Commons Atribuição 4.0 Internacional (CC BY 4.0)pt_BR
dc.description.resumoAb-initio calculations based on density functional theory have been employed to study electronic properties of Cr doped Bi4Ge3O12 (BGO), as well as its optical absorption spectra in ultraviolet region. Two different situations have been analyzed: when the Cr is situated at the Ge position (Cr4+), and when it resides at the Bi site (Cr3+). For each case the band structure and absorption spectra were calculated, and the Cr contributions identified and interpreted. Comparison with the experimental data indicates that the Cr enters both the Ge and Bi sites during the doping.pt_BR
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