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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.contributor.authorSantos, Júlio César Valeriano dos-
dc.date.accessioned2023-07-27T20:06:59Z-
dc.date.available2023-07-27T20:06:59Z-
dc.date.issued2023-02-14-
dc.identifier.citationSANTOS, Júlio César Valeriano dos. Estudo sobre a formação da solução sólida em filmes finos de zrn+si depositados via magnetron sputtering reativo. 2023. 47 f. Dissertação (Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais) – Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, 2023.pt_BR
dc.identifier.urihttps://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/17932-
dc.description.abstractZrN thin films with 1.6% Si addition were deposited via reactive magnetron sputtering and characterized by RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS and high temperature oxidation tests, aiming to investigate how structurally silicon is inserted in ZrN matrix. GAXRD analyses show a reduction in lattice parameter and grain size due to Si incorporation and XPS analyses demonstrate Si is present in nitride form. Such observations suggest the non-formation of substitutional or interstitial solid solution with ZrN, but the presence of Si3N4, even in low Si concentrations.eng
dc.description.sponsorshipCoordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESpt_BR
dc.languageporpt_BR
dc.subjectFilmes finospor
dc.subjectMagnetron sputteringeng
dc.subjectSolução sólidapor
dc.subjectZrNpor
dc.subjectSi3N4por
dc.subjectMagnetron sputtering reativoeng
dc.subjectThin filmseng
dc.subjectSolid solutioneng
dc.subjectReactive magnetron sputteringeng
dc.titleEstudo sobre a formação da solução sólida em filmes finos de zrn+si depositados via magnetron sputtering reativopt_BR
dc.title.alternativeStudy on the formation of the solid solution in zrn+si thin films deposited via reactive magnetron sputteringeng
dc.typeDissertaçãopt_BR
dc.contributor.advisor1Tentardini, Eduardo Kirinus-
dc.description.resumoFilmes finos de ZrN com adição de 1,6% de Si foram depositados via magnetron sputtering reativo e caracterizados por RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS e testes de oxidação em alta temperatura, visando investigar como estruturalmente o silício é inserido na matriz de ZrN. As análises GAXRD mostram uma redução no parâmetro de rede e no tamanho de grão devido à incorporação de Si e as análises XPS demonstram que o Si está presente na forma de nitreto. Tais observações sugerem a não formação de solução sólida substitucional ou intersticial com ZrN, mas a presença de Si3N4, mesmo em baixas concentrações de Si.pt_BR
dc.publisher.programPós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiaispt_BR
dc.subject.cnpqENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICApt_BR
dc.publisher.initialsUniversidade Federal de Sergipe (UFS)pt_BR
dc.description.localSão Cristóvãopt_BR
Aparece en las colecciones: Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais

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