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Document Type: Dissertação
Title: Deposição e caracterização de filmes finos TaA1N por magnetron sputtering reativo
Other Titles: Deposition and characterization of TaA1N thin films by reactive magnetron sputtering
Authors: Oliveira, Givanilson Brito de
Issue Date: 3-Mar-2017
Advisor: Tentardini, Eduardo Kirinus
Resumo : Filmes finos de Ta-Al-N foram depositados por magnetron sputtering reativo, com o intuito de verificar a influência da variação do teor de alumínio na estrutura cristalina, na dureza e na resistência à oxidação desse revestimento. As amostras foram caracterizadas por Difração de Raios X em ângulo rasante (GAXRD), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Espectroscopia de Energia Dispersiva (EDS), Espectroscopia por Retroespalhamento Rutherford (RBS), análises de nanodureza e testes de oxidação a temperaturas de 500°C, 600°C e 700°C. Primeiro foi necessário definir os parâmetros de deposição de filmes finos de TaN estequiométrico e com estrutura cubica de face centrada. A partir disso, filmes finos de TaAlN foram depositados e apresentaram concentração de 2, 5, 7, 14, 24 e 41 at.% de Al. A fase cristalina obtida para os filmes de TaAlN se apresentou constate com a adição de até 5 at.% de Al, com o aumento da concentração de Al o filme passa a ter uma tendência a ser amorfo. A partir das análises de MEV foi possível observar a superfície dos filmes após a oxidação, todos os filmes apresentaram irregularidades na superfície, entretanto a quantidade dessas falhas foi menor nas amostras com menores concentrações de alumínio. Além disso, a adição de alumínio não trouxe ganhos significativos para a resistência à oxidação desse revestimento. O maior valor de dureza obtido foi de 29 GPa para as amostras contendo 14 at.%.
Abstract: Ta-Al-N thin films were prepared using reactive magnetron sputtering, in order to verify the influence of the aluminum content on the crystalline structure, hardness and oxidation resistance. The samples were characterized by Grazing Incidence X-ray Diffraction (GIXRD), Energy Dispersive Spectroscopy (EDS), Rutherford Backscattering Spectrometry (RBS), nanohardness analysis and oxidation tests at 500°C, 600°C and 700°C. First, it was necessary to define deposition parameters of stoichiometric TaN with face centered cubic structure. From this, TaAlN thin films were prepared and present at concentration of 2, 5, 7, 14, 24 and 41 at.%. The crystal phase for the TaAlN films was only present with addition up to 5 at.%, increasing the Al concentration the coatings will tend to be amorphous. From the SEM analysis was possible to observe the surface of the film after oxidation, all thin films showed irregularities, however the amount of such failures was lower in samples with low aluminum content. Moreover, the addition of aluminum does not result in significant gains for oxidation resistance. The highest hardness value obtained was 29 GPa for the sample containing 14 at.%.
Keywords: Engenharia de materiais
Filmes finos
Magnetron sputtering
Compostos de tântalo
Nitretos de tântalo
TaA1N
Magnetron sputtering reativo
Thin films
Reactive magnetron sputtering
Subject CNPQ: ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA
Sponsorship: Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES
Language: por
Country: Brasil
Publisher / Institution : Universidade Federal de Sergipe
Institution: UFS
Program Affiliation: Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais
Citation: OLIVEIRA, Givanilson Brito de. Deposição e caracterização de filmes finos TaA1N por magnetron sputtering reativo. 2017. 67 f. Dissertação (Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, SE, 2017.
Rights: Acesso Aberto
URI: https://ri.ufs.br/handle/riufs/3542
Appears in Collections:Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais

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