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https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/19867| Tipo de Documento: | Dissertação |
| Título: | Investigação estrutural de filmes finos de Ti1-xAlxN depositados por magnetron sputtering reativo |
| Título(s) alternativo(s): | Structural investigation and oxidation resistance of ti1-xalxn thin films deposited by reactive magnetron sputtering |
| Autor(es): | Dias, Iago Lemos |
| Data do documento: | 19-Fev-2024 |
| Orientador: | Tentardini, Eduardo Kirinus |
| Resumo: | Filmes finos de Ti1-xAlxN com diferentes teores de Al (20, 40 e 60 at.%) foram depositados por magnetron sputtering reativo com o objetivo de estudar a estrutura na qual os filmes se apresentam, avaliando se há formação de uma solução sólida Ti1-xAlxN ou se existe somente a presença de dois nitretos binários TiN + AlN. Os ensaios de MEV-FEG, nanodureza e oxidação em altas temperaturas foram inconclusivos para determinar a estrutura dos filmes finos, entretanto, as análises de GAXRD das amostras indicaram uma redução no parâmetro rede e um aumento no tamanho dos cristalitos, fornecendo maiores evidências da formação do nitreto ternário Ti1-xAlxN em todos os revestimentos a partir da substituição do Ti por Al na estrutura do TiN. Os resultados de XPS constataram a presença da ligação química Ti-Al-N a partir da análise das regiões do Ti 2p, Al 2p e N 1s, confirmando a formação da solução sólida Ti1-xAlxN em todas as amostras depositadas. |
| Abstract: | Ti1-xAlxN thin films with different Al contents (20, 40 and 60 at.%) were deposited by reactive magnetron sputtering with the aim of studying the structure in which the films are presented, evaluating whether there is formation of a Ti1-xAlxN solid solution or if there is only the presence of two binary nitrides TiN + AlN. The SEM-FEG, nanohardness and oxidation tests at high temperatures were inconclusive to determine the structure of the thin films, however, the GAXRD analyzes of the samples indicated a reduction in the lattice parameter and an increase in the size of the crystallites, providing greater evidence of the formation of Ti1-xAlxN ternary nitride in all coatings from the replacement of Ti by Al in the TiN structure. The XPS results confirmed the presence of the Ti-Al-N chemical bond from the analysis of the Ti 2p, Al 2p and N 1s regions, confirming the formation of the Ti1-xAlxN solid solution in all deposited samples. |
| Palavras-chave: | Filmes finos Espectroscopia de raio X Magnetron sputtering Ti1-xAlxN Estrutura Solução sólida XPS Thin films Magnetron sputtering Structure Solid solution |
| área CNPQ: | ENGENHARIAS::ENGENHARIA DE MATERIAIS E METALURGICA |
| Agência de fomento: | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES |
| Idioma: | por |
| Sigla da Instituição: | Universidade Federal de Sergipe (UFS) |
| Programa de Pós-graduação: | Pós-Graduação em Ciência e Engenharia de Materiais |
| Citação: | DIAS, Iago Lemos. Investigação estrutural de filmes finos de Ti1-xAlxN depositados por magnetron sputtering reativo. 2024. 56 f. Dissertação (Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais) – Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, 2024. |
| URI: | https://ri.ufs.br/jspui/handle/riufs/19867 |
| Aparece nas coleções: | Mestrado em Ciência e Engenharia de Materiais |
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